ct.qmat 15 Erst in den Atom für Atom hergestellten zweidimensionalen Schichten offenbaren sich die interessanten Erscheinungen, die in unserem neuen Material stecken, darunter die quantisierte Leitfähigkeit der Ränder. Durch Variation der ultradünnen Atomschicht – ein, zwei, drei ... Nanometer – steuern wir die Eigenschaften des topologischen Isolators gezielter. Zudem beobachten wir, wie sich durch Wechselwirkungen mit anderen Stoffen das Verhalten an den Grenzflächen modifizieren lässt. ” Weiterentwicklung gelungen: Mit MnBi4Te7 und MnBi6Te10 konnten zwei neue magnetische topologische Isolatoren mit abgewandelten Materialstrukturen identifiziert und exakt hergestellt werden. An diesem Erfolg beteiligt sind neben der Würzburger Mannschaft um Bentmann sowie Forschenden der TU Dresden und vom Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden ebenfalls Arbeitsgruppen aus dem Forschungszentrum Jülich und der Hiroshima University (Japan). Successful new developments: MnBi4Te7 and MnBi6Te10 are two new magnetic topological insulators with modified material structures that have been identified and precisely fabricated. Alongside Bentmann’s team in Würzburg and researchers from TU Dresden and the Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden, this feat also involved groups from the Forschungszentrum Jülich and Hiroshima University in Japan. Physikalisches Institut, JMU Würzburg Hendrik Bentmann It’s only in the two-dimensional layers produced atom by atom that the interesting phenomena inherent in our new material are revealed, including the quantized conductivity of the edges. By varying the thickness of the ultrathin atomic layer (one, two, three or more nanometers), we can control the properties of the topological insulator more exactly. We’re also observing how the behavior on the surfaces can be modified by interactions with other materials.”
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